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J-GLOBAL ID：200903084115801370
化合物半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996122053
Publication number (International publication number)：1997306929
Application date： May. 16, 1996
Publication date： Nov. 28, 1997
Summary：
【要約】【課題】 ピエゾ電荷を、FET101を構成する基板1のゲート電極5及びドレイン電極7間のG-D間部分と、該基板の、ゲート電極5及びソース電極6間のG-S間部分とにその大きさが異なるよう発生させることにより、寄生容量の増大を招くことなく、ゲート長の短縮による基板への漏れ電流の増大を抑えて、FETの特性を向上する。【解決手段】 化合物半導体MESFET101において、基板1のG-D間部分及び基板のG-S間部分を、これらの部分に生ずる応力が異なるよう絶縁膜11及び10により被覆した。
Claim (excerpt)：
化合物半絶縁性基板と、該基板表面の所定領域上に形成されたゲート電極と、該基板表面の、該ゲート電極両側の領域に形成されたソース領域及びドレイン領域と、該ソース領域及びドレイン領域上に、該ゲート電極から所定距離離して設けられたソース電極及びドレイン電極とを備え、該化合物半絶縁性基板の表面領域における、該ゲート電極とドレイン電極との間に位置するG-D間部分と、該化合物半絶縁性基板の表面領域における、該ゲート電極とソース電極との間に位置するG-S間部分とには、互いに異なる応力が発生するよう構成した化合物半導体装置。
IPC (3)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 29/872
H01L 29/80 B
, H01L 29/48 H
