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J-GLOBAL ID:200903084116692931

熱電交換モジュール用セラミック基板

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001195461
Publication number (International publication number):2003017759
Application date: Jun. 27, 2001
Publication date: Jan. 17, 2003
Summary:
【要約】【課題】 セラミック基板と電極との熱膨張差により発生する熱応力、および電極と熱電素子との熱膨張差により発生する熱応力を十分に吸収し緩和させることにより、光半導体素子等の発熱体から発する熱を外部に効率良く伝達させ得るものとすること。【解決手段】 セラミック基板1の一方の主面に上面に熱電素子3が載置固定される電極2がそれぞれ独立して複数形成された熱電交換モジュール用セラミック基板において、電極は、厚さが5〜40μmであり外周端が全周にわたってくぼんだ曲面から成る裾野状とされたメタライズ層2a上に、上面の熱電素子3が載置固定される領域の端から側面にかけて全周にわたって断面形状が円弧状の曲面とされている銅層2bが積層されて成る。
Claim (excerpt):
セラミック基板の一方の主面に上面に熱電素子が載置固定される電極がそれぞれ独立して複数形成された熱電交換モジュール用セラミック基板において、前記電極は、厚さが5〜40μmであり外周端が全周にわたってくぼんだ曲面から成る裾野状とされたメタライズ層上に、上面の前記熱電素子が載置固定される領域の端から側面にかけて全周にわたって断面形状が円弧状の曲面とされている銅層が積層されて成ることを特徴とする熱電交換モジュール用セラミック基板。
IPC (2):
H01L 35/08 ,  H01L 35/34
FI (2):
H01L 35/08 ,  H01L 35/34

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