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J-GLOBAL ID：200903084121012086

薄膜太陽電池およびその製造方法

Inventor： 井原 卓郎
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992251745
Publication number (International publication number)：1994104465
Application date： Sep. 22, 1992
Publication date： Apr. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】レーザスクライビングによるアモルファス半導体層の損傷を避けるために半導体層とその上の金属電極層を同一パターンとする場合、レーザコンタクト法で半導体層の側面に形成する単位セルの直列接続のための導電化層の外気との反応を防止する。【構成】アモルファス半導体層側面の導電化ののち、その側面の露出する半導体層および金属電極層の単位セル間の間隙をガスの透過しない金属で充填すると共にその金属層で金属電極層の表面を覆って直列接続部の外気との反応を防ぐ。この金属層は、機械的に弱いアモルファス半導体層縁部の補強にもなるので、特に透明高分子フィルムを基板として用いる場合の半導体層の脱落を防止する効果が生ずる。

Claim (excerpt)：

透光性絶縁基板上に基板側から透明電極、アモルファス半導体層および金属電極層を積層してなる単位セルの複数個が一線上に配列され、アモルファス半導体層と金属電極層は同一パターンで透明電極の直上より一方にずれており、一つのセルの金属電極の端部がアモルファス半導体層の側面の導電化された層を介してその直下に位置する隣接セルの透明電極の端部と電気的に接続され、金属電極の表面がセル間に生ずる金属電極側面およびアモルファス半導体層側面間の間隙も充填する金属保護層によって被覆されたことを特徴とする薄膜太陽電池。