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J-GLOBAL ID：200903084122804644

集束イオンビーム照射方法および集束イオンビーム装置

Inventor： 梅村 馨 ,  間所 祐一 ,  川浪 義実
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994102439
Publication number (International publication number)：1995312196
Application date： May. 17, 1994
Publication date： Nov. 28, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 ウエハやデバイスなどの試料に対してFIBを照射して、試料または試料製造ラインにコンタミネイションを与えることなく観察、分析、計測、検査などが行える集束イオンビーム照射方法、およびそれらを実現する集束イオンビーム装置を提供する。【構成】 集束イオンビーム照射によって試料に微細加工を施して、試料の観察、分析または動作状態の検査のうちの少なくともいずれかを行なう集束イオンビーム照射方法であって、特に、上記集束イオンビームは、EHDイオン源2から放出され、該EHDイオン源のイオン材料が液体不活性ガス種、液体酸素、液体窒素、さらに、上記試料の主成分とは異種元素で周期律表上同族元素のうちのいずれかである集束イオンビーム照射方法である。

Claim (excerpt)：

集束イオンビーム照射によって試料に微細加工を施して、上記試料の観察、分析または動作状態の検査のうちの少なくともいずれかを行なう集束イオンビーム照射方法であって、特に、上記集束イオンビームは、電気流体力学的イオン源から放出され、該電気流体力学的イオン源のイオン材料が液体不活性ガス種、液体酸素、液体窒素、さらに、上記試料の主成分とは異種元素で周期律表上同族元素のうちのいずれかであることを特徴とする集束イオンビーム照射方法。

IPC (9)：

H01J 37/252 ,  H01J 27/26 ,  H01J 37/08 ,  H01J 37/09 ,  H01J 37/20 ,  H01J 37/22 502 ,  H01J 37/244 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 341