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J-GLOBAL ID：200903084125012110

薄膜太陽電池

Inventor： 寺内 正治 ,  和田 隆博
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996004875
Publication number (International publication number)：1997199741
Application date： Jan. 16, 1996
Publication date： Jul. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】本来の光吸収層1と中間層2での光電変換に加えて、窓層3と透明電極層4での光電変換が加わり、中間層2と窓層3の間にはkTを越える電位障壁がないため、光吸収層1と中間層2での光電変換は影響を受けない構成とすることにより、窓層の電子親和力、仕事関数、バンドギャップ等の電気的特性を最適化し、高効率の薄膜太陽電池を提供する。【解決手段】電極層を設けた基板または電極性を備えた金属基板上に、p型の半導体の光吸収層1、n型の半導体の中間層2、半導体の窓層3、n型の透明電極層4を順次積層する。または透明性基板上に、透明電極層4、半導体の窓層3、n型の半導体の中間層2、p型の半導体の窓層1を順次積層する。本来の光吸収層1と中間層2での光電変換に加えて、窓層3と透明電極層4での光電変換が加わり、特性の向上が図れる。

Claim (excerpt)：

電極層を設けた基板または電極性を備えた金属基板上に、電子親和力がχ<SB>1</SB> で仕事関数がΦ<SB>1</SB> で且つ禁制体幅がEg<SB>1</SB> であるp型の半導体の光吸収層、その上に電子親和力がχ<SB>2</SB> で仕事関数がΦ<SB>2</SB> で且つ禁制体幅がEg<SB>2</SB> であるn型の半導体の中間層、その上に電子親和力がχ<SB>3</SB> で仕事関数がΦ<SB>3</SB> で且つ禁制体幅がEg<SB>3</SB> である半導体の窓層、その上に電子親和力がχ<SB>4</SB> で仕事関数がΦ<SB>4</SB> で且つ禁制体幅がEg<SB>4</SB> であるn型の透明電極層を順次積層し、χ<SB>1</SB> とχ<SB>2</SB>とχ<SB>3</SB> とχ<SB>4</SB> とは実質的にほぼ等しく、Eg<SB>1</SB> <Eg<SB>2</SB> <Eg<SB>3</SB> <Eg<SB>4</SB> 、Φ<SB>1</SB>>Φ<SB>2</SB> >Φ<SB>4</SB> 、Φ<SB>2</SB> ≦Φ<SB>3</SB> <Φ<SB>1</SB> で、かつΦ<SB>2</SB> とΦ<SB>3</SB> の差は大きくてもkT程度とすることを特徴とする薄膜太陽電池。

IPC (2)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/28 301

FI (3)：

H01L 31/04 E ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 31/04 H