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J-GLOBAL ID：200903084129315843
バッテリバックアップ回路
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
寒川 誠一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992046745
Publication number (International publication number)：1993252672
Application date： Mar. 04, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：
【要約】【目的】 バッテリから負荷に電力を供給している期間に、バッテリが余分の負荷を負うことがないように改良されたバッテリバックアップ回路に関する。【構成】 逆流防止用ダイオードとトランジスタとの並列回路を介して直流電源と負荷とを繋ぐ直流電源回路と、逆流防止用ダイオードとトランジスタとの並列回路を介してバッテリと負荷とを繋ぐバッテリ回路とが、並列に接続されているバッテリバックアップ回路において、バッテリ回路の逆流防止用ダイオードを短絡するトランジスタにPチャンネルエンハンスメント型電界効果トランジスタを使用し、そのゲートは、直流電源と接続され、しかも、抵抗を介して接地されているバッテリバックアップ回路である。
Claim (excerpt)：
直流電源の正端子に第1のダイオード(D1 )が順方向に接続されてなる直流電源回路と、前記直流電源の非接続時に切り替え使用されるバッテリの正端子に第2のダイオード(D2 )が順方向に接続されてなるバッテリ回路とが、並列に接続されてなるバッテリバックアップ回路において、前記第1のダイオード(D1 )は第1のPチャンネルエンハンスメント型電界効果トランジスタ(Q1 )によって短絡されてなり、該第1のPチャンネルエンハンスメント型電界効果トランジスタ(Q1 )のゲートは前記第1のダイオード(D1 )のカソード側に抵抗(R1 )を介して接続されるとゝもに、Nチャンネルエンハンスメント型電界効果トランジスタ(Q3 )のドレイン・ソースを介して接地され、該Nチャンネルエンハンスメント型電界効果トランジスタ(Q3 )のゲートは前記第1のダイオード(D1 )のアノード側に接続されてなり、前記第2のダイオード(D2 )は第2のPチャンネルエンハンスメント型電界効果トランジスタ(Q2 )によって短絡されてなり、該第2のPチャンネルエンハンスメント型電界効果トランジスタ(Q2 )のゲートは前記直流電源の正端子に接続されるとゝもに、抵抗(R2 )を介して接地されてなることを特徴とするバッテリバックアップ回路。
Patent cited by the Patent：
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