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J-GLOBAL ID：200903084134909557

研磨装置およびそれを用いた研磨方法

Inventor： 木村 剛 ,  田熊 祐一郎 ,  伊藤 秀文 ,  小西 信博 ,  三谷 真一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995219211
Publication number (International publication number)：1997063995
Application date： Aug. 28, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【目的】 半導体ウエハ上に堆積された絶縁膜あるいは金属膜の表面を平坦且つ均一に研磨できる研磨装置を提供する。【構成】 中心軸回りに回転され、真空ポンプ11に連通する吸気孔2b1 が全域にわたって形成された研磨定盤2と、吸気孔2b1 に連通する複数の気泡12が形成されて研磨定盤2に貼り付けられた軟質材からなる第1パッド層3a、および第1パッド層3aに貼り付けられた硬質材からなる第2パッド層3cで構成された研磨パッド3とを有する研磨装置である。そして、研磨対象が表面に絶縁膜層の形成された半導体ウエハの場合には、気泡12を吸引した状態で所定量研磨して、次に、吸引力を解除した状態で残りを研磨する。また、研磨対象が表面に導電膜層の形成された半導体ウエハの場合には、これとは逆の手順で研磨する。

Claim (excerpt)：

中心軸回りに回転され、真空吸引手段に連通する吸気孔が全域にわたって形成された研磨定盤と、前記吸気孔に連通する複数の気泡が形成されて前記研磨定盤に貼り付けられた軟質材からなる第1パッド層、および前記第1パッド層に貼り付けられた硬質材からなる第2パッド層で構成された研磨パッドと、前記研磨パッド上に研磨液を供給するノズルと、前記研磨パッドに半導体ウエハを加圧した状態でこれを前記研磨パッドと相対運動させ、研磨材を取り込んで前記半導体ウエハの表面を研磨する研磨ヘッドとを有することを特徴とする研磨装置。

IPC (3)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00

FI (3)：

H01L 21/304 321 E ,  H01L 21/304 321 S ,  B24B 37/00 C