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J-GLOBAL ID：200903084144756430

圧電体素子及びその製造方法

Inventor： 守谷 壮一 ,  角 浩二
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997099456
Publication number (International publication number)：1998290035
Application date： Apr. 16, 1997
Publication date： Oct. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】 圧電体膜の圧電特性が向上した圧電体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 PZT膜4と、PZT膜4を挟んで配置される上電極5と下電極3と、を備えた圧電体素子であって、PZT膜4は、その構成元素として鉛、ジルコニウム及びチタンを含有しており、前記ジルコニウム及びチタンは、PZT膜4の膜厚方向に濃度勾配をもって含有されている。このジルコニウムの含有濃度は、下電極3側を小さく、上電極5側を大きくし、チタンの含有濃度は、下電極3側を大きく、上電極5側を小さくすることができる。

Claim (excerpt)：

圧電体膜と、該圧電体膜を挟んで配置される上電極と下電極と、を備えた圧電体素子であって、前記圧電体膜は、その構成元素として鉛、ジルコニウム及びチタンを含有し、前記ジルコニウム及びチタンは、当該圧電体膜の膜厚方向に濃度勾配をもって含有される圧電体素子。

IPC (5)：

H01L 41/187 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  C04B 35/46 ,  H01L 41/24

FI (4)：

H01L 41/18 101 D ,  B41J 3/04 103 A ,  C04B 35/46 J ,  H01L 41/22 A