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J-GLOBAL ID：200903084149422581

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 空田 晴之 ,  高木 剛 ,  井上 彰 ,  川島 良男
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (6)： 角田 嘉宏 ,  古川 安航 ,  西谷 俊男 ,  幅 慶司 ,  内山 泉 ,  是枝 洋介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004276999
Publication number (International publication number)：2005123604
Application date： Sep. 24, 2004
Publication date： May. 12, 2005
Summary：

【課題】 ゲルマニウムが導入された高移動度チャネルを有するにもかかわらず低抵抗なシリサイド相の形成が可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 半導体基板101と、半導体基板の上に形成されたゲート電極2と、半導体基板の平面視におけるゲート電極の両側に位置する部分に形成された一対のソース及びドレイン電極3と、ゲート電極との間にゲート絶縁膜106を挟むようにして該ゲート電極の下方に位置しかつ一対のソース及びドレイン電極の間に位置するように形成されたゲルマニウムを含むチャネル層105と、を備え、ソース及びドレイン電極の少なくとも一部を構成するシリサイド層111のゲルマニウム濃度がチャネル層のゲルマニウム濃度より低い。 【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体基板と、 前記半導体基板の上に形成されたゲート電極と、 前記半導体基板の平面視における前記ゲート電極の両側に位置する部分に形成された一対のソース及びドレイン電極と、 前記ゲート電極との間にゲート絶縁膜を挟むようにして該ゲート電極の下方に位置しかつ前記一対のソース及びドレイン電極の間に位置するように形成されたチャネル層と、を備え、 前記チャネル層及び該チャネル層の直下層の少なくともいずれかがゲルマニウムを含み、 前記ソース及びドレイン電極の少なくとも一部を構成するシリサイド層のゲルマニウム濃度が前記チャネル層及び直下層のいずれかのゲルマニウム濃度より低い、半導体装置。

IPC (6)：

H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

FI (9)：

H01L29/78 301P ,  H01L21/28 A ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/78 301B ,  H01L27/08 321C ,  H01L27/08 321E ,  H01L27/08 321F ,  H01L29/78 301S ,  H01L29/50 M

F-Term (103)：

4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA03 ,  4M104AA07 ,  4M104BB01 ,  4M104BB20 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD24 ,  4M104DD28 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF04 ,  4M104FF06 ,  4M104FF14 ,  4M104FF26 ,  4M104FF27 ,  4M104FF32 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20 ,  5F048AA08 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BB01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BC01 ,  5F048BC06 ,  5F048BD09 ,  5F048BF06 ,  5F048BG13 ,  5F048DA04 ,  5F048DA09 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DB01 ,  5F048DB06 ,  5F140AA10 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140AC10 ,  5F140AC28 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA17 ,  5F140BB18 ,  5F140BC13 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BE02 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF14 ,  5F140BF18 ,  5F140BF21 ,  5F140BF28 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG29 ,  5F140BG34 ,  5F140BG44 ,  5F140BG45 ,  5F140BG51 ,  5F140BG53 ,  5F140BG56 ,  5F140BH06 ,  5F140BH07 ,  5F140BH14 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK09 ,  5F140BK13 ,  5F140BK16 ,  5F140BK18 ,  5F140BK21 ,  5F140BK23 ,  5F140BK34 ,  5F140BK38 ,  5F140BK39 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CF04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-116865   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特許第2964925号公報