面発光型半導体装置及びそれを用いた発光モジュール

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：上代哲司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997043165
Publication number (International publication number)：1998242562
Application date： Feb. 27, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：

【要約】【目的】【課題】発光強度分布を制御可能な面発光型半導体装置及びそれを利用した発光モジュールを提供する。【解決手段】半絶縁性半導体基板(10)上に発光層(13)を第1導電型の半導体層と第2導電型の半導体層(12、14)により厚み方向に挟んだ構造を備え、かつ前記第1導電型の半導体層と前記第2導電型の半導体層との間に電流を流すことにより前記発光層で発生した光が、前記二つの半導体層の少なくとも一方を通過して前記厚み方向に出射される面発光型半導体装置において、前記第1導電型の半導体層又は前記第2導電型の半導体層のいずれか一方に、前記発光層を流れる電流の経路を制御する制御電極(31)を少なくとも1つ備えていることを特徴とする面発光型半導体装置。

Claim (excerpt)：

半絶縁性半導体基板上に、発光層を第1導電型の半導体層と第2導電型の半導体層により厚み方向に挟んだ構造を備え、かつ前記第1導電型の半導体層と前記第2導電型の半導体層との間に電流を流すことにより前記発光層で発生した光が、前記二つの半導体層の少なくとも一方を通過して前記厚み方向に出射される面発光型半導体装置において、前記第1導電型の半導体層又は前記第2導電型の半導体層のいずれか一方に、前記発光層を流れる電流の経路を制御する制御電極を少なくとも1つ備えていることを特徴とする面発光型半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

面発光半導体レーザ及びその制御方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-115769 Applicant：技術研究組合新情報処理開発機構, 富士通株式会社
特開平2-065284
特開平3-233293

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