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J-GLOBAL ID：200903084199911680

半導体装置の製造方法

Inventor： 堀 充明 ,  井上 文彦
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994247472
Publication number (International publication number)：1996116053
Application date： Oct. 13, 1994
Publication date： May. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に関し、酸化膜中の固定電荷が少なく、界面準位密度が少なく、ストレス印加に対して強く、且つ、基板への不純物突き抜け防止作用のあるゲート酸化膜を形成する。【構成】 ゲート酸化膜の形成工程において、ドライO2 、ウエット雰囲気等の酸化剤中に、Cl或いはF等のハロゲン元素を含むガスを添加した雰囲気中で、シリコン半導体基板を酸化処理し、次いで、窒化雰囲気中で熱処理する。

Claim (excerpt)：

酸化剤中にハロゲン元素を含むガスを添加した雰囲気中で、シリコン半導体基板を酸化処理し、次いで、窒化雰囲気中で熱処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/316