Pat
J-GLOBAL ID：200903084210056437
半導体装置の作製方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999258920
Publication number (International publication number)：2000082823
Application date： Dec. 26, 1992
Publication date： Mar. 21, 2000
Summary：
【要約】【課題】 半導体装置の作製方法において、不純物を注入する際、水素がゲート電極下の絶縁被膜に注入されないようにする。【解決手段】 半導体装置の作製方法において、ゲート電極の表面を陽極酸化して陽極酸化膜を形成し、ゲート電極及び陽極酸化膜をマスクとして半導体領域に不純物と水素のプラズマ流を照射して半導体領域に不純物を注入し、ゲート電極下の絶縁被膜に前記水素が注入されることを阻止することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
半導体領域上に絶縁被膜を形成する工程と、前記絶縁被膜上にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極の表面を陽極酸化して陽極酸化膜を形成する工程と、前記ゲート電極及び前記陽極酸化膜をマスクとして前記半導体領域に不純物と水素のプラズマ流を照射して前記半導体領域に不純物を注入する工程と、前記半導体領域に光を照射する工程とを有する半導体装置の作製方法であって、前記不純物を注入する工程において、前記ゲート電極及び前記陽極酸化膜は前記ゲート電極下の絶縁被膜に前記水素が注入されることを阻止することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (4)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/20
, H01L 21/266
H01L 29/78 627 F
, H01L 21/20
, H01L 21/265 M
, H01L 29/78 617 W
, H01L 29/78 627 E
Cited by examiner (8)
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