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J-GLOBAL ID：200903084221061360
半導体部品におけるバンプ電極の形成方法及びバンプ電極付き半導体部品
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
石井 暁夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992267627
Publication number (International publication number)：1994120230
Application date： Oct. 06, 1992
Publication date： Apr. 28, 1994
Summary：
【要約】【目的】 半導体部品1における電極パッド2に対して、金、銀又は銅製のバンプ電極12を、前記半導体部品1にヒロックを成長することなく、低コストで形成する。【構成】 半導体部品1における電極パッド2に対して、金、銀又は銅製の金属ボール6の表面に予め半田7を付着して成るボール体8を供給したのち、前記半田7の溶融温度で加熱・焼成する。
Claim (excerpt)：
半導体部品の表面に形成した電極パッドに、金、銀又は銅製の金属ボールの表面に予め半田を付着して成るボール体を供給し、次いで、前記半田における溶融温度で加熱・焼成することを特徴とする半導体部品におけるバンプ電極の形成方法。
FI (2)：
H01L 21/92 F
, H01L 21/92 C
