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J-GLOBAL ID：200903084231955741

発光ダイオード

Inventor： 加藤 俊宏 ,  曽根 豪紀 ,  廣谷 真澄 ,  坂 貴
Applicant, Patent owner： 大同特殊鋼株式会社
Agent (1)： 池田 治幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993303662
Publication number (International publication number)：1995162033
Application date： Dec. 03, 1993
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】 高い発光効率と高い集束性が得られるLEDを提供する。【構成】 点発光用LED(発光ダイオード)10は、基板12上に、第1クラッド層14、活性層16、第2クラッド層18、およびブロック層20が順次結晶成長させられた後、基板12の下面およびブロック層20の上面に、下部電極22および上部電極24がそれぞれ蒸着されて構成されている。上記基板12は例えば150μm程度の厚さの透明なn-Al0.1 Ga0.9 As単結晶から成る化合物半導体であり、その裏面側には曲率半径が150μm程度の球面状の凹面26を備えた凸部28が中央部に形成されている。活性層16で発生して基板12側に向かう光は、凹面26で反射されて、その活性層16の中央部に向かわせられるため、その反射光は恰も活性層16の中央部で発生したようになり、集束性の高い光が得られる。

Claim (excerpt)：

基板上に第1クラッド層、活性層、および第2クラッド層が順次積層され、該基板と該第2クラッド層との間の所定の範囲に動作電流が通電されることによって該活性層内で発生した光を、該第2クラッド層側から取り出す電流狭窄構造を備えた面発光型発光ダイオードであって、前記活性層と前記基板底面との間に、前記第2クラッド層側に向かって前記光を反射する凹面が備えられていることを特徴とする発光ダイオード。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  G09F 13/20