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J-GLOBAL ID：200903084240212611

半導体素子のトランジスター及びその製造方法

Inventor： 黄 儁
Applicant, Patent owner： 現代電子産業株式会社
Agent (1)： 中川 周吉 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996152113
Publication number (International publication number)：1997008308
Application date： Jun. 13, 1996
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、半導体素子の動作速度を向上させることができる半導体素子のトランジスター及びその製造方法を提供することに目的がある。【解決手段】 SOI層が厚く形成されたウエハーを使用して接合領域をチャネル及びLDDより厚く形成する。

Claim (excerpt)：

半導体素子において、シリコン基板上の絶縁層上部の所定領域に形成されたトレンチ構造を有するSOI層と、前記トレンチ構造の下部に形成されたゲート酸化膜と、前記ゲート酸化膜上部の中央領域に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の両側壁に形成された酸化膜スペーサと、前記酸化膜スペーサ下部の前記SOI層に形成され、低濃度不純物イオンが注入されたLDD領域と、前記LDD領域外側部の前記SOI層に形成され、高濃度不純物イオンが注入された接合領域から成ることを特徴とする半導体素子のトランジスター。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平3-024735
  
• 薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-057640   Applicant：シャープ株式会社