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J-GLOBAL ID：200903084260053790

超伝導材料

Inventor： 平本 雅祥 ,  松川 望 ,  足立 秀明
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001075781
Publication number (International publication number)：2002274841
Application date： Mar. 16, 2001
Publication date： Sep. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】 金属化合物のMgB2超伝導物質は高密度の材料合成が困難であり、それに起因して材料中の超伝導体積分率が低い点を改善する超伝導材料を提供することを目的とする。【解決手段】 組成式 (A1-XMX)B2 (Aは、IIa族から選ばれた少なくとも1種、Mは、Ib〜VIIIbあるいはランタノイドに属する少なくとも1種の元素)で表された超伝導材料である。また、組成式 (A1-XMX)B2 (Aは、IIa族から選ばれた少なくとも1種、Mは、Ib〜VIIIbあるいはランタノイドに属する少なくとも1種の元素、Xはゼロを含む有限の値)で表される化合物が、MgO(111)面上あるいはTiN(111)面の緩衝層を設けた基板上に形成しされた超伝導材料または超伝導薄膜の製造方法である。

Claim (excerpt)：

組成式 (A1-XMX)B2 (Aは、IIa族から選ばれた少なくとも1種、Mは、Ib〜VIIIbあるいはランタノイドに属する少なくとも1種の元素)で表された超伝導臨界温度(Tc)が25K以上の超伝導材料。

IPC (5)：

C01B 35/16 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C23C 14/34 ZAA ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 13/00 565

FI (5)：

C01B 35/16 ZAA ,  C01G 1/00 S ,  C23C 14/34 ZAA Q ,  C30B 29/22 501 H ,  H01B 13/00 565 Z

F-Term (27)：

4G047JA05 ,  4G047JB04 ,  4G047JC16 ,  4G047KE04 ,  4G047KE05 ,  4G047LB03 ,  4G077AA03 ,  4G077BE06 ,  4G077DA11 ,  4G077DA16 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  4K029AA04 ,  4K029AA09 ,  4K029BA53 ,  4K029BA60 ,  4K029BB02 ,  4K029BB08 ,  4K029BC04 ,  4K029CA05 ,  4K029DC16 ,  4K029DC39 ,  4K029FA07 ,  5G321AA12 ,  5G321CA04 ,  5G321CA21 ,  5G321DC25