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J-GLOBAL ID：200903084260206294

窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法、窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板および窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板の製造方法

Inventor： 橋本 茂樹 ,  宮嶋 孝夫 ,  冨岡 聡 ,  秋本 克洋
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998043456
Publication number (International publication number)：1999243253
Application date： Feb. 25, 1998
Publication date： Sep. 07, 1999
Summary：

【要約】【課題】 良質の単結晶の窒化物系III-V族化合物半導体を成長させることができる窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法、窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】 基板上に層状物質からなる層を分子線エピタキシー法などにより成長させた後、この層状物質からなる層上に窒化物系III-V族化合物半導体を成長させる。基板としてはGaAs基板やSi基板などを用い、好ましくは層状物質からなる層の成長前に表面のダングリングボンドを終端させておく。層状物質としては、MoS2 などの遷移金属ダイカルコゲナイド、グラファイト、雲母などを用いる。この窒化物系III-V族化合物半導体を用いて半導体レーザ、発光ダイオード、FETなどを製造する。

Claim (excerpt)：

基板上に層状物質からなる層を成長させた後、この層状物質からなる層上に窒化物系III-V族化合物半導体を成長させるようにしたことを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法。

IPC (7)：

H01S 3/18 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 33/00

FI (6)：

H01S 3/18 ,  C30B 29/40 502 H ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 29/80 B