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J-GLOBAL ID：200903084260518245

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 小林 純一郎 ,  和田 伸一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999131868
Publication number (International publication number)：2000323429
Application date： May. 12, 1999
Publication date： Nov. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】高信頼性オーミックコンタクトをいわゆるリフトオフ法により、歩留りよく製造するプロセスに特徴を有する半導体装置、及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板と、基板内又は基板上に形成された導電層と、前記導電層上に形成された絶縁層と、前記導電層と配線層とを電気的に接続する前記導電層上の所定の前記絶縁膜中に形成された接続部と、前記導電層と電気的に接続する配線層とを有する半導体装置であって、前記接続部は前記基板面に対して垂直方向の断面の大きさが前記絶縁膜側から基板側にかけて小さくなるような形状を有する開口部中に、金属材料を埋め込んで形成されている半導体装置、及び前記接続部を形成するための開口部を、少なくとも前記絶縁層の方向性をもつイオンの物理的作用によるエッチングと等方性エッチングの組み合わせにより形成する工程に特徴を有する半導体装置の製造方法。

Claim (excerpt)：

基板と、基板内又は基板上に形成された導電層と、前記導電層上に形成された絶縁膜と、前記導電層と配線層とを電気的に接続する前記導電層上の所定の前記絶縁膜中に形成された接続部とを有する半導体装置であって、前記接続部は、前記基板面に対して垂直方向の断面の大きさが、前記絶縁膜側から基板側にかけて小さくなるような形状を有する開口部中に、金属材料を埋め込んで形成されている、半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/28 ,  H01L 29/41 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (3)：

H01L 21/28 G ,  H01L 29/44 D ,  H01L 29/80 F

F-Term (34)：

4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA05 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD12 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD68 ,  4M104FF06 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG12 ,  4M104HH13 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ06 ,  5F102GL05 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102HC16 ,  5F102HC19