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J-GLOBAL ID：200903084270876506
半導体レーザ素子の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994246647
Publication number (International publication number)：1996116134
Application date： Oct. 13, 1994
Publication date： May. 07, 1996
Summary：
【要約】【目的】素子を空間的に分離するウェハプロセスにより、GaAs基板上に多元系3-5族化合物を積層した半導体レーザ素子の発光特性評価を素子横並びのバー状で行えるようにする。【構成】第1導電型のGaAs基板1の一主面上に、順に、第1導電型の第1クラッド層2、活性層3、第2導電型の第2クラッド層4、第1導電型のレーザ光軸に平行に2つの区域に分割されている電流狭窄層6、第2導電型の第3クラッド層7、および第2導電型のコンタクト層8がエピタキシャル成長される多元系3-5族化合物半導体レーザ素子の製造方法において、第1クラッド層の成膜工程前に、GaAs基板の一主面上に誘電体膜11を成膜する工程と、所定の区域に誘電体膜を残すパターニング工程を行う。
Claim (excerpt)：
第1導電型のGaAs基板の一主面上に、順に、第1導電型の第1クラッド層、活性層、第2導電型の第2クラッド層、第1導電型のレーザ光軸に平行に2つの区域に分割されている電流狭窄層、第2導電型の第3クラッド層、および第2導電型のコンタクト層がエピタキシャル成長される多元系3-5族化合物半導体レーザ素子の製造方法において、第1クラッド層の成膜工程前に、GaAs基板の一主面上に誘電体膜を成膜する工程と、所定の区域に誘電体膜を残すパターニング工程を行うことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
IPC (2)：
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