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J-GLOBAL ID：200903084273313960

半導体装置の製造方法

Inventor： 佐藤 伸良 ,  中野 正 ,  太田 与洋 ,  山本 浩
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993052412
Publication number (International publication number)：1994267939
Application date： Mar. 12, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の絶縁膜として埋め込み性が良好であるとともにボイドを有しない優れた膜質のものを形成する。【構成】 シリコンウエファ11の表面にBPSG膜12を形成し、その上にその上に金属配線13を形成し、さらにプラズマ-TEOS CVD 膜14を形成した後、エタノール、メタノールなどの有機化合物もしくはその水溶液またはその有機溶媒溶液で処理し、次にTEOS, TMOSなどの有機ケイ素化合物を原料ガスとする化学気相成長、例えば常圧オゾン-TEOS CVDにより絶縁膜15を形成する。このように下地表面を有機化合物により処理することにより埋め込み性が良く、ボイドが無く、良好な膜質の絶縁膜を形成できる。

Claim (excerpt)：

化学気相成長によって半導体装置の絶縁膜を形成するに当たり、下地表面を有機化合物を含む処理流体で処理した後、絶縁膜を化学気相成長によって形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 特開平4-061335
  
• 半導体装置におけるCVD膜形成方法およびその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-000787   Applicant：沖電気工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-175847   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置の製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-066794   Applicant：川崎製鉄株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-068842   Applicant：川崎製鉄株式会社

Cited by examiner (1)

• 特開平4-061335