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J-GLOBAL ID：200903084282859925

ガスセンサ

Inventor： 土田 敬之 ,  須藤 誠一 ,  鈴木 貴弘 ,  安藤 正美
Applicant, Patent owner： 東陶機器株式会社
Agent (1)： 下田 容一郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995089735
Publication number (International publication number)：1996015195
Application date： Apr. 14, 1995
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】 高感度で経時安定性に優れたガスセンサを得る。【構成】 ガスセンサ1はアルミナ製の絶縁基板2の表面に一対の櫛形電極3a,3bを形成し、この電極3a,3bに重なるように絶縁基板2の表面に厚さが200μm以上1mm以下の多孔質金属酸化物半導体層4を形成し、更に絶縁基板2の裏面にはヒータ線を形成している。

Claim (excerpt)：

主体となる金属酸化物に貴金属を添加した金属酸化物半導体に対するガスの吸脱着による抵抗値の変化を利用したガスセンサにおいて、このガスセンサは絶縁体からなる基板の一面側に一対の電極を形成し、更にこの電極に重なるように厚さが100μm以上1mm以下の多孔質金属酸化物半導体層を基板上に形成し、更に基板の他面側にヒータを形成したことを特徴とするガスセンサ。