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J-GLOBAL ID：200903084283285302

多波長集積化半導体レーザの製造方法

Inventor： 土屋 博
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992151356
Publication number (International publication number)：1993327119
Application date： May. 18, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 組成の異なる活性層を有する複数の成長層を一度に形成することができる多波長集積化半導体レーザの製造方法を提供する。【構成】 Si基板1上にマスク2aを形成する。マスク2aは開口幅2μm,その両側被覆幅2μmの領域と、開口幅2μm,その両側被覆幅5μmの領域とを有する。このようにマスク被覆幅がことなる開口部にMOVPE 法により成長を行うと組成が異なる成長層3,4を一度に形成することができる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成したマスクを用いその組成が異なる複数の成長層を基板上に形成して多波長集積化半導体レーザを製造する方法において、前記基板上に、開口幅は同一でその被覆幅が異なる複数の開口部を有するマスクを設け、該複数の開口部に成長層を形成することを特徴とする多波長集積化半導体レーザの製造方法。