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J-GLOBAL ID：200903084290240705

半導体量子箱装置及びその製造方法

Inventor： 有本 宏
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991141808
Publication number (International publication number)：1993121320
Application date： Jun. 13, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は半導体量子箱装置及びその製造方法に関し、電子の0次元的閉じ込めが可能であると共に各半導体量子箱のサイズを均一にし、従って、そこでの電子のエネルギ・レベルが単一化されるようにすることを目的とする。【構成】 (111)B面をもつGaAs基板21上に形成され且つ側面の全てが(111)A面であるAlGaAsからなる截頭三角錐形の基底部分23と、基底部分23の截頭平面23A上に形成され且つGaAsで構成されて側面が全て(111)A面である三角錐形の半導体量子箱とを備えるよう構成する。

Claim (excerpt)：

(111)B面の主表面をもつ三・五族化合物半導体基板上に形成され且つ側面の全てが(111)A面である三・五族化合物半導体からなる截頭三角錐形の基底部分と、前記截頭三角錐形の基底部分に於ける截頭平面上に形成され且つ前記基底部分のエネルギ・バンド・ギャップに比較して狭いエネルギ・バンド・ギャップをもつと共に電子親和力が大きい三・五族化合物半導体で構成され側面の全てが(111)A面である三角錐形の半導体量子箱とを備えてなることを特徴とする半導体量子箱装置。

IPC (3)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/804 ,  H01S 3/18