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J-GLOBAL ID:200903084321004380

トランジスタ、表示装置、トランジスタの製造方法、および、表示装置の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 奥田 誠司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003275371
Publication number (International publication number):2005039086
Application date: Jul. 16, 2003
Publication date: Feb. 10, 2005
Summary:
【課題】 電気特性が高く、製造コストの低いトランジスタおよびその製造方法、ならびに上記トランジスタを用いた表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明のトランジスタ10は、第1電極4と、第2電極5と、第1電極4と第2電極5との間に設けられた有機層6と、有機層6に電界を印加するための第3電極2とを備え、有機層6は、主鎖と、デンドリマーを含む側鎖とを有する高分子を含む。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた有機層と、前記有機層に電界を印加するための第3電極とを備えるトランジスタであって 前記有機層は、主鎖と、デンドリマーを含む側鎖とを有する高分子を含む、トランジスタ。
IPC (6):
H01L29/786 ,  C08F20/54 ,  C08G61/12 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00
FI (6):
H01L29/78 618B ,  C08F20/54 ,  C08G61/12 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/28
F-Term (51):
2H092JA24 ,  2H092KA09 ,  2H092MA12 ,  2H092NA25 ,  2H092NA26 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  4J032BA04 ,  4J032BB01 ,  4J032BB06 ,  4J032BC01 ,  4J032CG01 ,  4J032CG03 ,  4J100AM23P ,  4J100BC43P ,  4J100CA01 ,  4J100DA55 ,  4J100JA24 ,  5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN72
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

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