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J-GLOBAL ID：200903084321004380

トランジスタ、表示装置、トランジスタの製造方法、および、表示装置の製造方法

Inventor： 水崎 真伸 ,  山原 基裕
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 奥田 誠司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003275371
Publication number (International publication number)：2005039086
Application date： Jul. 16, 2003
Publication date： Feb. 10, 2005
Summary：

【課題】 電気特性が高く、製造コストの低いトランジスタおよびその製造方法、ならびに上記トランジスタを用いた表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明のトランジスタ10は、第1電極4と、第2電極5と、第1電極4と第2電極5との間に設けられた有機層6と、有機層6に電界を印加するための第3電極2とを備え、有機層6は、主鎖と、デンドリマーを含む側鎖とを有する高分子を含む。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた有機層と、前記有機層に電界を印加するための第3電極とを備えるトランジスタであって 前記有機層は、主鎖と、デンドリマーを含む側鎖とを有する高分子を含む、トランジスタ。

IPC (6)：

H01L29/786 ,  C08F20/54 ,  C08G61/12 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00

FI (6)：

H01L29/78 618B ,  C08F20/54 ,  C08G61/12 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/28

F-Term (51)：

2H092JA24 ,  2H092KA09 ,  2H092MA12 ,  2H092NA25 ,  2H092NA26 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  4J032BA04 ,  4J032BB01 ,  4J032BB06 ,  4J032BC01 ,  4J032CG01 ,  4J032CG03 ,  4J100AM23P ,  4J100BC43P ,  4J100CA01 ,  4J100DA55 ,  4J100JA24 ,  5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN72

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 導電性有機材料配向膜の製造方法及び導電性有機材料配向膜を用いた有機電子素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-241078   Applicant：松下電器産業株式会社

Cited by examiner (1)

• 三端子素子の分子トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-172353   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所