Pat
J-GLOBAL ID：200903084328163971
光デバイス
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
谷 義一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992066127
Publication number (International publication number)：1993275808
Application date： Mar. 24, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：
【要約】【目的】 低損失で製作性の良い半導体レーザや半導体光増幅器、光変調器等の導波路形光デバイスを提供する。【構成】 第1および第2のコア層5,102を厚さ方向に積層し、第2のコア層102の幅を第1のコア層5の幅より狭くして屈折率差を生じさせると共に、導電媒質からなるリッジ状クラッド103のまわりを半絶縁性、n形、p形またはノンドープの少なくとも1種類のクラッド107により埋め込み、第1のコア層5、ガイド層6を光機能部として残す。
Claim (excerpt)：
基板上に少なくともクラッド層およびコア層を有し、前記クラッド層の少なくとも一部を導電媒質とした光デバイスにおいて、前記コア層は厚さ方向に積層された少なくとも第1および第2のコア層を有し、前記第2のコア層の幅を、前記第1のコア層の幅よりも狭くするとともに前記第2のコア層を前記第1のコア層の上側および下側の少なくとも一方に配置することにより横方向において単一の光導波路と見なせるように横方向に屈折率差を生じさせるとともに、導電媒質からなる前記クラッド層の周囲を半絶縁性、n形、p形、ノンドープの少なくとも1種類のクラッド層により埋め込み、さらに前記第1のコア層および前記第2のコア層の少なくとも一方を光機能層としたことを特徴とする光デバイス。
IPC (3)：
H01S 3/18
, G02F 1/025
, H01L 27/15
Cited by examiner (5)
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