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J-GLOBAL ID：200903084330163105

ポリイミド-金属積層体およびその製造方法

Inventor： 原田 祐一郎 ,  小山 正人 ,  吉開 正彰 ,  坂井 祥浩 ,  鈴木 彰 ,  中島 明美
Applicant, Patent owner： 三井化学株式会社
Agent (1)： 最上 正太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998069760
Publication number (International publication number)：1999268183
Application date： Mar. 19, 1998
Publication date： Oct. 05, 1999
Summary：

【要約】【課題】高温の加熱処理を長時間施してもポリイミド基材と金属層が優れた密着性を維持し、半導体技術における高密度配線等のための微細加工が可能であると共に、連続生産にも適したポリイミド-金属積層体を提供する。【解決手段】ポリイミド基材(1)の少なくとも片面に金属酸化物層(2)が形成され、該金属酸化物層(2)の表面に金属層(3)が形成された積層体であって、ポリイミド基材(1)の表面粗度が0.5nm以上、5nm未満、金属酸化物層(2)の厚みが3〜35nmであることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

ポリイミド基材(1)の少なくとも片面に金属酸化物層(2)が形成され、該金属酸化物層(2)の表面に金属層(3)が形成された積層体であって、ポリイミド基材(1)の表面粗度が0.5nm以上、5nm未満、金属酸化物層(2)の厚みが3〜35nmであることを特徴とするポリイミド-金属積層体。

IPC (3)：

B32B 15/08 ,  C23C 14/08 ,  H05K 3/38

FI (4)：

B32B 15/08 R ,  B32B 15/08 J ,  C23C 14/08 D ,  H05K 3/38 A