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J-GLOBAL ID：200903084341986103
半導体装置の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993068839
Publication number (International publication number)：1994283515
Application date： Mar. 26, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：
【要約】【目的】 段差への埋め込み性能及び平坦性に優れた半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 下地表面を有機化合物を含む処理流体で処理し、次に下地表面をプラズマで処理し、その後絶縁膜を化学気相成長によって形成する。
Claim (excerpt)：
化学気相成長によって半導体装置の絶縁膜を形成するに当たり、下地表面を有機化合物を含む処理流体で処理し、次に、前記下地表面をプラズマで処理し、その後絶縁膜を化学気相成長によって形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/316
, H01L 21/3205
