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J-GLOBAL ID：200903084354767290

薄膜多結晶シリコンの製造方法

Inventor： 樽井 久樹 ,  丸山 英治
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991231780
Publication number (International publication number)：1993074702
Application date： Sep. 11, 1991
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 スポット状のレーザ光照射を使用して膜質が均一な薄膜多結晶シリコンを得ることを目的とする。【構成】 基板(1)上に形成されたシリコン膜(2)に対して、基板の両主面から交互にレーザ光A,B,Cを照射するとともに、その照射部の一部がその交互で互いに重なり合うように、且つそのシリコン膜の形成面側からのレーザ光の照射強度の方を大となるように照射する。

Claim (excerpt)：

透光性基板の一主面上に形成されたシリコン膜に、エネルギービーム照射器から出射されるスポット状のエネルギービームを、前記主面に沿って前記透光性基板の両主面から交互に照射するとともに、その照射部の一部をその交互で互いに重なり合わせ、且つ前記透光性基板の他主面側からの前記エネルギービームの強度を、他方の側のエネルギービームの強度よりも大とする薄膜多結晶シリコンの製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/268

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭58-112326
  
• 特開平2-238618
  
• 特開昭57-045921