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J-GLOBAL ID：200903084377659397

ドープされた細長い半導体、そのような半導体の成長、そのような半導体を含んだデバイス、およびそのようなデバイスの製造

Inventor： リーバー,チャールズ・エム ,  キュイ,イン ,  デュアン,シャンフェン ,  ファン,ユン-シェン
Applicant, Patent owner： プレジデント・アンド・フェローズ・オブ・ハーバード・カレッジ
Agent (6)： 社本 一夫 ,  増井 忠弐 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  西山 文俊
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002521336
Publication number (International publication number)：2004507104
Application date： Aug. 22, 2001
Publication date： Mar. 04, 2004
Summary：

下記のものの少なくとも1つであるバルクドープ半導体:単結晶、その長手方向の軸における任意の点に500ナノメートルよりも小さい最大断面寸法を有する細長いバルクドープ半導体、および500ナノメートルよりも小さい最小幅を有する少なくとも1つの部分のある自立型のバルクドープ半導体。そのような半導体は、第1の半導体を含む内部コアと、第1の半導体と異なる材料を含む外殻とを含む。そのような半導体は細長いかもしれない、また、そのような半導体の長手方向の断面における任意の点で、最も長い幅に対するこの断面の長さの比は、4:1よりも大きい、または10:1よりも大きい、または100:1よりも大きい、または、さらに1000:1よりも大きいかもしれない。そのような半導体の少なくとも1つの部分は、200ナノメートルよりも小さい、または150ナノメートルよりも小さい、または100ナノメートルよりも小さい、または80ナノメートルよりも小さい、または70ナノメートルよりも小さい、または60ナノメートルよりも小さい、または40ナノメートルよりも小さい、または20ナノメートルよりも小さい、または10ナノメートルよりも小さい、または、さらに5ナノメートルよりも小さい最大幅かもしれない。そのような半導体は、単結晶であるかもしれないし、さらに自立型であるかもしれない。そのような半導体は、低濃度にn型にドープされているか、高濃度にn型にドープされているか、低濃度にp型にドープされているか、または高濃度にp型にドープされているかもしれない。そのような半導体は、成長中にドープすることができる。そのような半導体は、デバイスの一部であり、そのデバイスは様々なデバイスおよびその組合せの任意ものを含むことができる。そのような半導体からデバイスを製造するために、様々な組立方法を使用することができる。そのような半導体のアレイを含んだ、そのような半導体の2以上のものは、デバイスを形成するように、例えばデバイスの交差p-n接合を形成するように組み合わせることができる。ある特定の大きさのそのようなデバイスは、量子閉じ込めおよび他の量子現象を示すこができ、さらに、1つまたは複数のそのような半導体から放出された光の波長は、そのような半導体の幅を選ぶことで制御することができる。そのような半導体およびそれから作られたデバイスは、様々な用途に使用することができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

500ナノメートルよりも小さい最小幅を有する少なくとも1つの部分を含む自立型のバルクドープ半導体。

IPC (7)：

H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L27/10 ,  H01L29/73 ,  H01L29/88 ,  H01L33/00

FI (7)：

H01L29/06 601N ,  H01L29/06 601Q ,  H01L27/10 451 ,  H01L29/88 Z ,  H01L33/00 A ,  H01L29/91 A ,  H01L29/72

F-Term (13)：

5F003BA00 ,  5F003BB00 ,  5F003BC00 ,  5F003BE00 ,  5F003BF05 ,  5F003BG05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA64 ,  5F083FZ10