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J-GLOBAL ID：200903084382545570

半導体装置を平坦化する方法

Inventor： マーク・アンソニー・シャソ ,  ポール・ブラッドリー・ジョーンズ ,  バーナード・スティール・マイナーソン ,  ヴィシュヌバーイ・ヴィンタルバーイ・パテル
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 頓宮 孝一 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992275904
Publication number (International publication number)：1993218000
Application date： Oct. 14, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、平坦な表面を有する半導体装置を提供することにある。【構成】 VLSIなどの、金属被覆した半導体チップを、第1のSiO2の層でコーティングした後、エッチ・ストップとして、CVDダイアモンドまたはDLCの第2の層でコーティングする。得られた構造は、化学・機械研磨スラリおよび適当な研磨パッドを使用して、再現可能、制御可能に平坦化され、後続の各層を同様にして次々に形成することができる。【効果】

Claim (excerpt)：

表面構造を配設した平坦な基板を用意する工程と、基板および表面構造全体を、絶縁材料の第1の層でコーティングする工程と、第1の層を、ダイアモンドまたはダイアモンド状炭素を含む第2の層でコーティングする工程と、第1の層と第2の層とを、スラリ中で研磨パッドを使用して化学・機械研磨を行う工程と、全体が実質的に平坦になった時点で加工を停止する工程とを含む、半導体装置を平坦化する方法。

IPC (2)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/304 321

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-251164
  
• 特開昭61-240629