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J-GLOBAL ID：200903084383896872

高密度ITO焼結体の製造方法

Inventor： 小川 展弘 ,  毛利 隆
Applicant, Patent owner： 東ソー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991353102
Publication number (International publication number)：1993170513
Application date： Dec. 18, 1991
Publication date： Jul. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】【構成】 熱間等方圧プレスによってITOを焼結させる際、焼結雰囲気を酸素雰囲気とし、内面にアルミナ及び/又は窒化硼素等をコ-ティングしたニッケル又は銅の容器を用い、1100°C以下、100kg/cm2以上で焼結させる高密度ITO焼結体の製造方法【効果】 得られた焼結体は、還元されにくく高密度となる。この焼結体は低抵抗な透明導電膜を形成するスパッタリングタ-ゲットとして有用である。

Claim (excerpt)：

ITO粉末又はITO粉末成型体を缶体に充填し、熱間等方圧プレスによって焼結させる際、雰囲気を酸素雰囲気とすることを特徴とする高密度ITO焼結体の製造方法。

IPC (3)：

C04B 35/00 ,  C04B 35/64 302 ,  C23C 14/34