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J-GLOBAL ID：200903084384135522

半導体レーザーのサブマウント

Inventor： 石倉 千春
Applicant, Patent owner： 田中貴金属工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991229504
Publication number (International publication number)：1993048213
Application date： Aug. 15, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ワイヤーボンディングせず、またバレルコーティングせずに、レーザー発振素子とヒートシンクの導通をとることのできる半導体レーザーのサブマウントを提供する。【構成】 半導体レーザー発振素子とヒートシンクと前記両者の間に位置する絶縁材のサブマウントよりなる半導体レーザーに於いて、前記サブマウントにスルホールを設け、このスルホールの内面にメタライズ層を形成して、半導体レーザー発振素子とヒートシンクの導通をとったことを特徴とする半導体レーザーのサブマウント。

Claim (excerpt)：

半導体レーザー発振素子とヒートシンクと前記両者の間に位置する絶縁材のサブマウントよりなる半導体レーザーに於いて、前記サブマウントにスルホールを設け、このスルホールの内面にメタライズ層を形成して、半導体レーザー発振素子とヒートシンクの導通をとったことを特徴とする半導体レーザーのサブマウント。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 23/36 ,  H01S 3/043

FI (2)：

H01L 23/36 D ,  H01S 3/04 S