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J-GLOBAL ID:200903084394713443

強誘電体コンデンサの非破壊的読取

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小橋 一男 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992190652
Publication number (International publication number):1993198194
Application date: Jul. 17, 1992
Publication date: Aug. 06, 1993
Summary:
【要約】 (修正有)【目的】 分極状態を破壊することなしに分極状態を読取るために強誘電体メモリへアクセスする回路・技術を提供する。【構成】 ヒステリシスループ40を示し、これに沿っての移動は本発明に基づくもの。+Pr安定分極状態が例示的な強誘導電帯コンデンサ内に格納されており、双極性パルスの正の部分が該コンデンサの一方の端子へ印加されるものと仮定。コンデンサへ小さな正電界を印加するのに応答矢線46に沿って48に移動する。次いで電界が0へ復帰すると+Pr分極状態へ復帰。強誘電体コンデンサの非線形ヒステリシス特性のために、正と負読取り電荷は異なった振幅である。センスアンプ回路がこれら正・負の読取り信号の加算を行い、その結果得られる加算極性は当初強誘電体コンデンサ内に格納されていた分極状態を画定する。
Claim (excerpt):
ヒステリシス特性を持った強誘電体コンデンサの分極状態を決定する方法において、第一極性及び第一大きさの出力信号を発生させるために前記強誘電体コンデンサへ第一極性の電界を印加し、第二の異なった極性及び大きさの出力信号を発生させるために前記強誘電体コンデンサへ第二極性の電界を印加し、前記強誘電体コンデンサに格納されている分極状態を表わす合成信号を発生させるために前記第一及び第二出力信号の分極及び大きさを結合させる、上記各ステップを有することを特徴とする方法。
IPC (2):
G11C 27/00 102 ,  G11C 11/409

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