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J-GLOBAL ID：200903084395984939

面発光レーザ素子および該面発光レーザ素子を用いた面発光レーザアレイ

Inventor： 軸谷 直人 ,  佐藤 俊一 ,  高橋 孝志 ,  伊藤 彰浩 ,  上西 盛聖
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 磯村 雅俊 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002082660
Publication number (International publication number)：2002359434
Application date： Mar. 25, 2002
Publication date： Dec. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】 発振閾値電流が低く特性に優れた面発光レーザ素子、該面発光レーザ素子を用いた並列光インターコネクション用途等に好適な低消費電力、高速変調可能な面発光レーザアレイ、高速伝送が可能な光インターコネクションシステム、および高速通信が可能な光通信システム(請求項9)を提供すること。【解決手段】 活性層13および共振器スペーサー層12を含む共振領域と、該共振領域を挟んで対向する一対の分布ブラッグ反射器11,14とを備えた面発光レーザ素子において、Alを含む半導体混晶を酸化してなる電流狭窄構造16’を共振器スペーサー層中の活性層13の片側または両側に設けた。該面発光レーザ素子を用いることで、面発光レーザアレイ、高速伝送が可能な光インターコネクションシステム、および高速通信が可能な光通信システムも実現できる。

Claim (excerpt)：

活性層および共振器スペーサー層を含む共振領域と、該共振領域を挟んで対向する一対の分布ブラッグ反射器とを備えた面発光レーザ素子であって、Alを含む半導体混晶を酸化してなる電流狭窄構造が前記共振器スペーサー層中に設けられていることを特徴とする面発光レーザ素子。

IPC (4)：

H01S 5/183 ,  G02B 6/42 ,  H01S 5/343 ,  H01S 5/343 610

FI (4)：

H01S 5/183 ,  G02B 6/42 ,  H01S 5/343 ,  H01S 5/343 610

F-Term (23)：

2H037AA01 ,  2H037BA03 ,  2H037BA05 ,  2H037CA04 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073AB05 ,  5F073AB17 ,  5F073AB27 ,  5F073AB28 ,  5F073BA02 ,  5F073BA09 ,  5F073CA04 ,  5F073CA05 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CA20 ,  5F073CB02 ,  5F073DA27 ,  5F073EA02 ,  5F073EA14 ,  5F073EA29