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J-GLOBAL ID：200903084408745866

炭化珪素膜及びその製造方法

Inventor： 中野 順太 ,  長澤 弘幸 ,  八木 邦明 ,  河原 孝光
Applicant, Patent owner： ホーヤ株式会社
Agent (1)： 藤村 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999288844
Publication number (International publication number)：2000178740
Application date： Oct. 08, 1999
Publication date： Jun. 27, 2000
Summary：

【要約】【課題】 反位相領域境界面を効果的に低減又は消滅させた炭化珪素膜等を提供する。【解決手段】 単結晶基板表面上にその結晶方位を引き継いで炭化珪素をエピタキシャル成長させる炭化珪素膜の製造方法において、前記基板表面の全部又は一部に1方向に平行に伸びる複数の起伏を具備させ、この基板表面上に炭化珪素を成長させる。

Claim (excerpt)：

単結晶基板表面上にその結晶方位を引き継いで炭化珪素をエピタキシャル成長させる炭化珪素膜の製造方法であって、前記基板表面の全部又は一部に1方向に平行に伸びる複数の起伏を具備させ、この基板表面上に炭化珪素を成長させることを特徴とする炭化珪素膜の製造方法。

IPC (2)：

C23C 16/32 ,  C30B 29/36

FI (2)：

C23C 16/32 ,  C30B 29/36 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特開平4-214099
  
• 炭化珪素薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-237488   Applicant：松下電器産業株式会社

Cited by examiner (2)

• 特開平4-214099
  
• 炭化珪素薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-237488   Applicant：松下電器産業株式会社