Pat

J-GLOBAL ID：200903084413388460

半導体発光装置

Inventor： 菅原 智信
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992105149
Publication number (International publication number)：1993299699
Application date： Apr. 24, 1992
Publication date： Nov. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体発光装置に関し、本発明は、発光ダイオード・チップの活性領域に加わる応力を低減し、スクリーニングを行った際の歩留りを向上し得るようにする。【構成】 鉄、或いは、鉄を主成分とする材料のTO-18型(JIS規格品)パッケージに於けるステム11上に半田(或いはAuSi)からなるソルダ12で取り付けられた厚さが892〔μm〕乃至956〔μm〕(或いは888〔μm〕乃至1007〔μm〕)であるAlNからなるサブ・マウント13並びにサブ・マウント13上にAuSnからなるソルダ14で取り付けられた発光ダイオード・チップ15を備えている。

Claim (excerpt)：

鉄或いは鉄を主成分とする材料からなるステム上に半田からなるソルダで取り付けられた厚さが892〔μm〕乃至956〔μm〕であるAlNからなるサブ・マウント及び該サブ・マウント上にAuSnからなるソルダで取り付けられた発光ダイオード・チップを備えてなることを特徴とする半導体発光装置。