ポジ型レジスト材料

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：滝田清暉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993041717
Publication number (International publication number)：1994236035
Application date： Feb. 08, 1993
Publication date： Aug. 23, 1994
Summary：

【要約】【目的】高感度、高解像性、及び優れたプロセス適性を有する、高エネルギー線用ポジ型レジスト材料を提供すること。【構成】一部の水酸基の水素原子がt-ブトキシカルボニル基で置換されたポリ(ヒドロキシスチレン)樹脂(a)、溶解阻害剤(b)及びオニウム塩(c)を、それぞれ重量百分率で0.55≦a、0.07≦b≦0.40、0.005≦c≦0.15並びにa+b+c=1となるように含有すると共に、アルカリ水溶液で現像することが可能な、高エネルギー線に感応するポジ型レジスト材料であって、前記オニウム塩(c)が一般式(R)3 S+ Mで表されるオニウム塩であることを特徴とするポジ型レジスト材料;但し、一般式中のRは芳香族基であり、各Rの少なくとも一つはβ-ヒドロキシエトキシ基で置換されたフェニル基であり、各Rは同じであっても異なっても良い;また、Mはスルホニウムの陰イオンである。

Claim (excerpt)：

一部の水酸基の水素原子がt-ブトキシカルボニル基で置換されたポリ(ヒドロキシスチレン)樹脂(a)、溶解阻害剤(b)及びオニウム塩(c)を、それぞれ重量百分率で0.55≦a、0.07≦b≦0.40、0.005≦c≦0.15並びにa+b+c=1となるように含有すると共に、アルカリ水溶液で現像することが可能な、高エネルギー線に感応するポジ型レジスト材料であって、前記オニウム塩(c)が一般式(R)3 S+ Mで表されるオニウム塩であることを特徴とするポジ型レジスト材料;但し、一般式中のRは芳香族基であり、各Rの少なくとも一つはβ-ヒドロキシエトキシ基で置換されたフェニル基であり、各Rは同じであっても異なっても良い;また、Mはスルホニウムの陰イオンである。

IPC (5)：

G03F 7/039 501 , C08F 12/14 MJY , G03F 7/004 503 , G03F 7/029 , H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平4-215662
特開平2-181151
特開平4-045125

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