Pat
J-GLOBAL ID:200903084448912080

カドミウムおよび鉛を含有しない厚膜ペースト組成物

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 谷 義一 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995332417
Publication number (International publication number):1996253342
Application date: Dec. 20, 1995
Publication date: Oct. 01, 1996
Summary:
【要約】【課題】 鉛およびカドミウムを含まない厚膜ペースト組成物であり、基板上の抵抗またはサーミスタパターンを形成するのに好適なものを提供する。【解決手段】 基板上に抵抗またはサーミスタのパターンを形成するのに好適な厚膜ペースト組成物であって、(a)ルテニウム系導電性材料5〜65重量%と;(b)5〜70モル%のBiO3 、18〜35モル%のSiO2 、0.1〜40モル%のCuO、5〜25モル%のZnO、0.5〜40モル%のCoO、0.5〜40モル%のFe2 O3 、および0.5〜40重量%のMnOを含み、鉛およびカドミウムを含まないガラス組成物95〜35重量%とのベース固形物を含有し、(a)および(b)の全てが有機媒体中に分散されている。
Claim (excerpt):
基板上に抵抗またはサーミスタのパターンを形成するのに好適な厚膜ペースト組成物であって、(a)ルテニウム系導電性材料5〜65重量%と;(b)5〜70モル%のBiO3 、18〜35モル%のSiO2 、0.1〜40モル%のCuO、5〜25モル%のZnO、0.5〜40モル%のCoO、0.5〜40モル%のFe2 O3 、および0.5〜40重量%のMnOを含み、鉛およびカドミウムを含まないガラス組成物95〜35重量%とのベース固形物を含有し、(a)および(b)の全てが有機媒体中に分散されていることを特徴とする厚膜ペースト組成物。
IPC (3):
C03C 8/02 ,  C03C 3/062 ,  H01C 7/04
FI (3):
C03C 8/02 ,  C03C 3/062 ,  H01C 7/04

Return to Previous Page