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J-GLOBAL ID：200903084457254681

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 原口 恵一 ,  牛山 雅弘 ,  辻川 真平
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999135400
Publication number (International publication number)：2000332235
Application date： May. 17, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】伝導キャリアの移動度を高く保つ半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】MOSFETのゲート絶縁膜中に帯電性材料(窒素などの帯電性元素を添加したシリコン酸化膜または高誘電率膜)層を形成することで、チャネル領域への不純物導入なしに、しきい電圧を調整する。

Claim (excerpt)：

第1導電型を有する半導体基板にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、前記半導体基板内に互いに分離して設けられた第2導電型の拡散層領域を備えた半導体装置において、ゲート絶縁膜の全部またはその一部が第1導電型に帯電することを特徴とする半導体装置。

F-Term (5)：

5F040DA06 ,  5F040ED02 ,  5F040ED03 ,  5F040ED05 ,  5F040FC15