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J-GLOBAL ID：200903084460736719
半導体素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小西 富雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999002836
Publication number (International publication number)：1999317543
Application date： Oct. 10, 1997
Publication date： Nov. 16, 1999
Summary：
【要約】【課題】 シリコン基板以外のGaN系の半導体層を成長させるのに適した新規な基板を見いだす。【解決手段】 基板の半導体層に接する面が下記要件の少なくとも2つを満足する。?@ GaN系の半導体と基板との密着性が良好なこと?A GaN系の半導体の熱膨張係数と基板の熱膨張係数とが近いこと?B 基板の弾性率が低いこと?C 基板の結晶構造がGaN系の半導体と同じであること?D |基板の格子定数-GaN系の半導体の格子定数|/GaN系の半導体の格子定数 ≦ 0.05であること
Claim (excerpt)：
基板と、GaN系の半導体層と、を備えてなる半導体素子であって、前記基板の前記GaN系の半導体層に接する面が下記要件を具備する?@ 窒化物生成自由エネルギーが負である材料を含む、?A 線膨張係数が10 X 10-6/K以下である材料を含む、ことを特徴とする半導体素子。
IPC (3)：
H01L 33/00
, H01L 21/20
, H01L 21/205
H01L 33/00 C
, H01L 21/20
, H01L 21/205
