Pat

J-GLOBAL ID：200903084461625805

面発光半導体レーザ

Inventor： 岡本 稔 ,  須郷 満 ,  大礒 義孝 ,  小濱 剛孝
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 谷 義一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992287679
Publication number (International publication number)：1994140710
Application date： Oct. 26, 1992
Publication date： May. 20, 1994
Summary：

【要約】【目的】 残留応力等の少ない活性層を有する面発光半導体レーザを提供することを目的とする。【構成】 Si基板1上の半導体多層膜反射鏡7は屈折率の異なる2種類の半導体単結晶5および6が交互に積層されて形成されている。これら単結晶5および6は互いに格子整合されている。これら単結晶5および6の少なくとも一方には歪薄膜を形成することができる。

Claim (excerpt)：

単結晶Siからなる半導体結晶基板上に、バッファ層、屈折率の異なる2種類の半導体単結晶からなる半導体多層膜反射鏡、キャリアを閉じ込めて再結合発光させる活性層、上部反射鏡が積層され、かつ前記半導体多層膜反射鏡の2種類の半導体単結晶のうち少なくとも一方は歪薄膜を含むことを特徴とする面発光半導体レーザ。