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J-GLOBAL ID：200903084502589703
位相シフト層を有するフォトマスクの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
韮澤 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992064550
Publication number (International publication number)：1993265182
Application date： Mar. 23, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：
【要約】【目的】 電子線描画装置を用いて位相シフトレチクルの位相シフターを形成する際、チャージアップ現象を効率よく防止する。【構成】 位相シフター層を形成した基板上に、レジスト薄膜を形成し、このレジスト薄膜に電離放射線にてパターン描画を行い、パターン描画後のレジスト薄膜を現像してレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして露出した位相シフター層をエッチングし、エッチング終了後、残存したレジストを除去する位相シフトフォトマスクの製造において、位相シフターパターン描画時に、パターン描画域をその周囲複数方向から取り囲む基板周辺の複数位置において、レジスト薄膜をアース13、14する。
Claim (excerpt)：
位相シフター層を形成した基板上に、レジスト薄膜を形成し、このレジスト薄膜に電離放射線にてパターン描画を行い、パターン描画後のレジスト薄膜を現像してレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして露出した位相シフター層をエッチングし、エッチング終了後、残存したレジストを除去する位相シフト層を有するフォトマスクの製造方法において、少なくとも前記パターン描画時に、パターン描画域をその周囲複数方向から取り囲む基板周辺の複数位置において、レジスト薄膜をアースすることを特徴とする位相シフト層を有するフォトマスクの製造方法。
IPC (2)：
FI (3)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
, H01L 21/30 361 Z
