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J-GLOBAL ID：200903084525972695

材料サンプルの分析

Inventor： フュースター ポール フレドリック
Applicant, Patent owner： フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996502974
Publication number (International publication number)：1997502530
Application date： Jun. 13, 1995
Publication date： Mar. 11, 1997
Summary：

【要約】コンピュータシステム(1) が、X線のような放射線を用いて材料サンプル(30)を分析するための分析手順(AP)のデータベース(DB1) を有する。コンピュータシステムが、ユーザーに対して材料サンプル(30)の少なくとも1つの所望のパラメーター(Pd)を識別するための情報をシステム(1) に入力することを要求する。コンピュータシステム(1) は、この情報を用いてその所望のパラメーターを求めるための可能な分析手順を定める。ユーザー及び/又はコンピュータシステムによって選択された分析手順がコンピュータシステムによってシミュレートされ、第1シミュレーション(I1)即ちサンプルから射出される放射線のシミュレーションを生成する。コンピュータシステムが所望のパラメーター(Pd)の影響を変更した後、選択された分析手順が再びシミュレートされ、第2シミュレーション(I2)を生成する。次に、コンピュータシステムがこれら第1及び第2シミュレーション(I1 及びI2) を比較し、第1及び第2シミュレーション間の差異が最大である箇所を求め、これにより、その所望のパラメーターについて最も敏感な領域に実験を導くことが可能になる。

Claim (excerpt)：

材料サンプルを分析するための分析手順のデータベースを具えるコンピュータシステムを有する分析装置を用いて分析手順を遂行する方法であって、コンピュータシステムが、ユーザーに対してユーザーが対象とする材料サンプルの少なくとも1つの所望のパラメーターを認識するための情報をコンピュータシステムに入力することを要求し、ユーザーによって入力された情報から所望の情報を得るために用いるべきデータベースの中の分析手順を決定し、可能な分析手順から選択された少なくとも1つの分析手順をシミュレートしてサンプルから出る放射線の第1シミュレーションを生成し、次にユーザーが対象とする少なくとも1つの所望のパラメーターを変化させ、少なくとも1つの所望のパラメーターの影響を変化させた後選択された分析手順を再びシミュレートしてサンプルから出る放射線の第2シミュレーションを生成し、第1及び第2シミュレーションを比較してこの第1及び第2シミュレーション間の差異が最大である領域を決定し、且つ、少なくとも1つの所望のパラメーターについて最も敏感な領域の分析手順を用いて実験が遂行されるように分析装置を制御することを特徴とする方法。

IPC (2)：

G01N 23/00 ,  G01N 21/01

FI (2)：

G01N 23/00 ,  G01N 21/01 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• X線回折装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-099508   Applicant：株式会社マックサイエンス