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J-GLOBAL ID：200903084527204601

半導体レーザ素子及びその製造方法

Inventor： 大江 仁
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999043380
Publication number (International publication number)：2000244066
Application date： Feb. 22, 1999
Publication date： Sep. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】 リッジ部の両側に空洞のない良好な性能の半導体レーザ素子を得る。【解決手段】 活性層を含む所定の半導体材料層が形成された半導体基板上に積層されたリッジ状のクラッド層と、クラッド層上に積層されたリッジ状のキャップ層と、クラッド層の両側に形成された電流ブロック層とで構成される半導体レーザ素子であり、この半導体レーザ素子のクラッド層と電流ブロック層との間に耐酸化性半導体材料層を積層する。

Claim (excerpt)：

活性層を含む所定の半導体材料層が形成された半導体基板上に積層されたリッジ状のクラッド層と、クラッド層上に積層されたリッジ状のキャップ層と、クラッド層の両側に形成された電流ブロック層と、クラッド層と電流ブロック層との間に積層された耐酸化性半導体材料層とを備えたことを特徴とする半導体レーザ素子。

F-Term (4)：

5F073AA13 ,  5F073AA51 ,  5F073CA05 ,  5F073EA29