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J-GLOBAL ID：200903084530522860

窒化物半導体装置、エピタキシャル基板および窒化ガリウム系エピタキシャル膜を形成する方法

Inventor： 橋本 信 ,  木山 誠 ,  田辺 達也
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (4)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰 ,  近藤 伊知良
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005342605
Publication number (International publication number)：2007149985
Application date： Nov. 28, 2005
Publication date： Jun. 14, 2007
Summary：

【課題】ドナー濃度により該電子濃度を制御可能な高比抵抗の窒化ガリウム系半導体膜を含む窒化ガリウム系ショットキバリアダイオードを提供する。【解決手段】ショットキーバリアダイオード41では、窒化ガリウム系エピタキシャル層45は、導電性を有するIII族窒化物基板45上に設けられている。窒化ガリウム系エピタキシャル層45には、ドナードーパント元素が添加されている。窒化ガリウム系エピタキシャル層45は2×1016cm-3未満の炭素濃度を有している。窒化ガリウム系エピタキシャル層45は1×108cm-2未満の転位密度を有する。窒化ガリウム系エピタキシャル層45は、5×1016cm-3未満の電子キャリア濃度を有する。電子キャリア濃度は、窒化ガリウム系エピタキシャル層45に添加されるドナードーパントによって変更可能である。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

III族窒化物支持基体と、 5×1016cm-3未満の電子キャリア濃度を有しており前記III族窒化物基板上に設けられた第1の窒化ガリウム系エピタキシャル層と を備え、 前記第1の窒化ガリウム系エピタキシャル層にはドナードーパントが添加されており、 前記第1の窒化ガリウム系エピタキシャル層は2×1016cm-3未満の炭素濃度を有しており、 前記第1の窒化ガリウム系エピタキシャル層は1×108cm-2未満の転位密度を有する、ことを特徴とする窒化物半導体装置。

IPC (9)：

H01L 29/201 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/207

FI (8)：

H01L29/201 ,  H01L29/48 D ,  H01L29/91 F ,  H01L29/78 652G ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658E ,  H01L21/205 ,  H01L29/207

F-Term (25)：

4M104AA04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104FF13 ,  4M104GG03 ,  5F045AA03 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF04 ,  5F045BB04 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045DA60 ,  5F045DP15 ,  5F045DP27 ,  5F045DQ10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• GaN単結晶基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-183446   Applicant：住友電気工業株式会社