Pat
J-GLOBAL ID:200903084531239231
電気回路の製造方法及び該方法で製造した電気回路、有機薄膜トランジスタの製造方法、該方法で製造した有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタアレイ
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003176201
Publication number (International publication number):2005012061
Application date: Jun. 20, 2003
Publication date: Jan. 13, 2005
Summary:
【課題】高精細なパターンを容易に形成する電気回路の製造方法、真空系やフォトリソグラフ技術を用いなくとも、精度の高い有機TFT素子を簡易かつ効率的に作成でき、素子のバラツキを抑制し、製造安定性を高めることができる有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】基材上に導電性を有する領域を形成する工程、前記導電性領域を帯電させる工程、及び材料を液滴として所望の位置に供給するパターン形成装置を用いて、前記導電性領域と逆帯電させた材料を該導電性領域上に供給する工程を有する電気回路の製造方法。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
基材上に導電性を有する領域を形成する工程、
前記導電性領域を帯電させる工程、及び
材料を液滴として所望の位置に供給するパターン形成装置を用いて、前記導電性領域と逆極性に帯電させた材料を該導電性領域上に供給する工程
を有することを特徴とする電気回路の製造方法。
IPC (4):
H01L29/786
, H01L21/288
, H01L21/336
, H01L51/00
FI (7):
H01L29/78 618B
, H01L21/288 Z
, H01L29/78 627C
, H01L29/78 617J
, H01L29/78 618A
, H01L29/78 616K
, H01L29/28
F-Term (49):
4M104AA09
, 4M104AA10
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104BB07
, 4M104BB08
, 4M104BB09
, 4M104BB13
, 4M104BB16
, 4M104BB17
, 4M104BB18
, 4M104BB36
, 4M104CC05
, 4M104DD51
, 4M104EE03
, 4M104EE16
, 4M104EE17
, 4M104EE18
, 4M104GG08
, 4M104GG09
, 4M104HH14
, 5F110AA30
, 5F110BB01
, 5F110CC01
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD12
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110EE01
, 5F110EE37
, 5F110EE42
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF27
, 5F110FF28
, 5F110FF29
, 5F110GG05
, 5F110GG24
, 5F110GG42
, 5F110HK01
, 5F110HK32
, 5F110HM19
, 5F110NN72
, 5F110NN73
, 5F110QQ01
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