Pat
J-GLOBAL ID:200903084532495215

半導体式加速度センサ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 西野 卓嗣
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991287936
Publication number (International publication number):1993126843
Application date: Nov. 01, 1991
Publication date: May. 21, 1993
Summary:
【要約】【目的】 半導体基板の上下に半導体基板並みの構造体を持たないモノリシック型半導体式加速度センサにおいて、半導体製のストッパの破壊防止と用いる半導体基板の構造を簡単化する。【構成】 エピタキシャル基板を用いず、半導体基板の上下の不純物拡散すると共に半導体製ストッパの代わりに弾性のある金属膜製のストッパを半導体基板の上下に設けてビーム部の動きを緩慢に停止させる。
Claim (excerpt):
起歪領域として薄肉状に形成されるとともに歪み量を検出するために半導体感歪素子が形成されたビーム薄肉部と、このビーム薄肉部から延在して荷重領域として厚肉状に形成されたビーム部と、このビーム薄肉部とビーム部とからなるビームの変位量を規定して該変位を停止させるストッパとを有し、前記ビ-ム部に印加された加速度に応じた前記ビーム薄肉部の歪み量を前記半導体感圧素子が検出することにより、前記加速度を検出する半導体式加速度センサにおいて、前記ストッパは金属で構成されていることを特徴とする半導体式加速度センサ。
IPC (2):
G01P 15/12 ,  H01L 29/84

Return to Previous Page