半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：碓氷裕彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992240453
Publication number (International publication number)：1993198758
Application date： Sep. 09, 1992
Publication date： Aug. 06, 1993
Summary：

【要約】【目的】誘導負荷駆動時に誤作動を生じず、かつコンパクトな形状で充分な出力電流が得られる。【構成】半導体基板3内に基板の一面に開放する箱形に絶縁層4を形成して、該箱形絶縁層に囲まれた半導体層内に横型二重拡散MOS電界効果トランジスタ2A,2Bを形成するとともに、上記箱形絶縁層外の半導体層内に縦型二重拡散MOS電界効果トランジスタ1A,1Bを形成してある。誘導負荷駆動時の逆起電力により出力1,2端子の電位がアース電位を下回っても、素子分離を絶縁層によって行っているから寄生トランジスタは生じておらず、これが導通して誤作動する問題は生じない。縦型二重拡散MOS電界効果トランジスタはON抵抗が小さいから、その形成面積を小さくしても充分な出力電流が得られる。

Claim (excerpt)：

半導体基板内において基板の一面に開放する箱形に絶縁層が形成され、該箱形絶縁層に囲まれた半導体層内に横型二重拡散MOS電界効果トランジスタが形成されるとともに、上記箱形絶縁層外の半導体層内に縦型二重拡散MOS電界効果トランジスタが形成されており、上記縦型二重拡散MOS電界効果トランジスタにてハイサイドスイッチを構成するとともに、上記横型二重拡散MOS電界効果トランジスタにてローサイドスイッチを構成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 27/088 , H01L 21/76 , H01L 29/784

FI (3)：

H01L 27/08 102 E , H01L 27/08 311 A , H01L 29/78 321 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭63-299265
特開平3-129765
特開平2-096350

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