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J-GLOBAL ID：200903084555617679
薄膜トランジスタ及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994311578
Publication number (International publication number)：1996167719
Application date： Dec. 15, 1994
Publication date： Jun. 25, 1996
Summary：
【要約】【目的】 光の影響により液晶表示装置の表示性能が劣化することなく、光を完全に遮断することができる。【構成】 透明基板1上に形成された遮光膜2、遮光膜2上に形成された薄膜トランジスタにおいて、遮光膜2は薄膜トランジスタを構成する半導体膜4及び該周囲に形成された絶縁膜により自己整合的にパターン形成してなるものである。
Claim (excerpt)：
透明基板上に形成された遮光膜、該遮光膜上に形成された薄膜トランジスタにおいて、上記遮光膜は上記薄膜トランジスタを構成する半導体膜及び該周囲に形成された絶縁膜により自己整合的にパターン形成してなることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2)：
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