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J-GLOBAL ID：200903084555820091

SiO2中のナノ結晶ケイ素および独立ケイ素ナノ粒子の調製方法

Inventor： ジョナサン・ゴードン・コン・ヴェイノット ,  コリン・マイケル・ヘッセル
Applicant, Patent owner： ザ・ガバナーズ・オブ・ザ・ユニバーシティー・オブ・アルバータ
Agent (4)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2008512658
Publication number (International publication number)：2008545826
Application date： May. 26, 2006
Publication date： Dec. 18, 2008
Summary：

水素シルセスキオキサン(HSQ)を還元的熱硬化条件下で処理することによりナノ結晶Si/SiO2複合材料を調製する方法が記載されている。また、ナノ結晶Si/SiO2複合材料を酸エッチングすることによりケイ素ナノ粒子を調製する方法も記載されている。

Claim (excerpt)：

水素シルセスキオキサン(HSQ)を含む前駆体を還元的熱条件下で、ナノ結晶Si/SiO2複合材料を生成させるのに十分な時間および温度で硬化させることを含む、ナノ結晶Si/SiO2複合材料を調製する方法。

IPC (5)：

C09K 11/08 ,  B82B 3/00 ,  C01B 33/12 ,  C01B 33/02 ,  C09K 11/59

FI (5)：

C09K11/08 A ,  B82B3/00 ,  C01B33/12 A ,  C01B33/02 Z ,  C09K11/59

F-Term (20)：

4G072AA38 ,  4G072BB09 ,  4G072DD07 ,  4G072DD08 ,  4G072GG03 ,  4G072HH28 ,  4G072JJ01 ,  4G072JJ13 ,  4G072LL01 ,  4G072LL02 ,  4G072LL03 ,  4G072MM40 ,  4G072NN21 ,  4G072RR01 ,  4G072RR04 ,  4G072UU04 ,  4H001CC05 ,  4H001CC13 ,  4H001CF01 ,  4H001XA14

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Curing study of hydrogen silsesquioxane under H2/N2 ambient